STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin D2PAK STB70NF3LLT4
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET F3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Length
10.75mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
10.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno (u namotaju od 1000) (bez PDV-a)
1000
Cijena na upit
komadno (u namotaju od 1000) (bez PDV-a)
1000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET F3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Length
10.75mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
10.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda