N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH3N150-2

RS kataloški broj:: 792-5861brend: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STH3N150-2
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Series

MDmesh

Package Type

H2PAK-2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

140 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

29.3 nC @ 10 V

Width

15.8mm

Transistor Material

Si

Height

4.8mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 983,681

komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)

RSD 1.180,417

komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH3N150-2
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

2

Dostupno u više komada 2
2RSD 1.967
4RSD 3.935
6RSD 5.902
8RSD 7.869
10RSD 9.367
12RSD 11.240
14RSD 13.113
16RSD 14.986
18RSD 16.860
20RSD 18.524
22RSD 20.376
24RSD 22.229
26RSD 24.081
28RSD 25.934
30RSD 27.786

RSD 983,681

komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)

RSD 1.180,417

komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH3N150-2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 2.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 2.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

2

Dostupno u više komada 2
2RSD 1.967
4RSD 3.935
6RSD 5.902
8RSD 7.869
10RSD 9.367
12RSD 11.240
14RSD 13.113
16RSD 14.986
18RSD 16.860
20RSD 18.524
22RSD 20.376
24RSD 22.229
26RSD 24.081
28RSD 25.934
30RSD 27.786

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
2 - 8RSD 983,681RSD 1.967
10 - 18RSD 936,652RSD 1.873
20 - 48RSD 926,201RSD 1.852
50 - 98RSD 909,219RSD 1.818
100+RSD 900,074RSD 1.800

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Series

MDmesh

Package Type

H2PAK-2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

140 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

29.3 nC @ 10 V

Width

15.8mm

Transistor Material

Si

Height

4.8mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više