STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 400 mA, 600 V, 3-Pin SOT-223 STN1HNK60
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.25V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Width
3.5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 1.672
RSD 167,213 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 2.007
RSD 200,656 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Standard
10
RSD 1.672
RSD 167,213 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 2.007
RSD 200,656 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Standard
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 10 - 20 | RSD 167,213 | RSD 1.672 |
| 30 - 90 | RSD 160,681 | RSD 1.607 |
| 100 - 490 | RSD 126,716 | RSD 1.267 |
| 500 - 990 | RSD 111,04 | RSD 1.110 |
| 1000+ | RSD 92,751 | RSD 928 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.25V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Width
3.5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda