Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19534KCS
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.7mm
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Height
16.51mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Zemlja podrijetla
Philippines
Detalji o proizvodu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
RSD 7.446
RSD 148,924 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 8.935
RSD 178,709 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
RSD 7.446
RSD 148,924 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 8.935
RSD 178,709 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RSD 148,924 | RSD 7.446 |
| 100 - 200 | RSD 137,167 | RSD 6.858 |
| 250 - 450 | RSD 134,554 | RSD 6.728 |
| 500+ | RSD 133,248 | RSD 6.662 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.7mm
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Height
16.51mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Zemlja podrijetla
Philippines
Detalji o proizvodu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda