P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD25404Q3T

RS kataloški broj:: 133-0156brend: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD25404Q3T
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

104 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.15V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Width

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.8 nC @ 4.5 V

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalji o proizvodu

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 215,548

komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 258,658

komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD25404Q3T
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.078
10RSD 2.155
15RSD 2.606
20RSD 3.475
25RSD 4.344
30RSD 5.212
35RSD 6.081
40RSD 6.950
45RSD 7.818
50RSD 7.969
55RSD 8.766
60RSD 9.562
65RSD 10.359
70RSD 11.156
75RSD 11.953

RSD 215,548

komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 258,658

komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD25404Q3T
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.078
10RSD 2.155
15RSD 2.606
20RSD 3.475
25RSD 4.344
30RSD 5.212
35RSD 6.081
40RSD 6.950
45RSD 7.818
50RSD 7.969
55RSD 8.766
60RSD 9.562
65RSD 10.359
70RSD 11.156
75RSD 11.953

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 10RSD 215,548RSD 1.078
15 - 45RSD 173,744RSD 869
50 - 245RSD 159,375RSD 797
250 - 495RSD 145,005RSD 725
500+RSD 133,248RSD 666

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

104 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.15V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Width

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10.8 nC @ 4.5 V

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalji o proizvodu

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više