N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Width
5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.07mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 4.350,00
€ 1,45 komadno (u namotaju od 3000) (bez PDV-a)
€ 5.089,50
€ 1,696 komadno (u namotaju od 3000) (s PDV-om)
3000
€ 4.350,00
€ 1,45 komadno (u namotaju od 3000) (bez PDV-a)
€ 5.089,50
€ 1,696 komadno (u namotaju od 3000) (s PDV-om)
3000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Width
5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.07mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda