Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TrenchFET
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.46V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 52,00
€ 0,52 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 60,84
€ 0,608 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
100
€ 52,00
€ 0,52 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 60,84
€ 0,608 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 100 - 475 | € 0,52 | € 13,00 |
| 500 - 975 | € 0,46 | € 11,50 |
| 1000+ | € 0,40 | € 10,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TrenchFET
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.46V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda