N-Channel MOSFET, 14 A, 60 V, 3-Pin TO-220FP Vishay IRFIZ24GPBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.8mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 215,548
komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 258,658
komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
RSD 215,548
komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 258,658
komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RSD 215,548 | RSD 10.777 |
| 100 - 200 | RSD 207,709 | RSD 10.385 |
| 250+ | RSD 205,097 | RSD 10.255 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.8mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda