Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

RS kataloški broj:: 818-1302Probna marka: VishayProizvođački broj:: SI4909DY-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

34 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

41.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.55mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

KM 203,40

KM 2,034 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 237,98

KM 2,38 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 20
100KM 203,40
120KM 244,08
140KM 284,76
160KM 325,45
180KM 366,13
200KM 359,87
220KM 395,85
240KM 431,84
260KM 467,83
280KM 503,81
300KM 539,80
320KM 575,79
340KM 611,77
360KM 647,76
380KM 683,75

KM 203,40

KM 2,034 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 237,98

KM 2,38 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 20
100KM 203,40
120KM 244,08
140KM 284,76
160KM 325,45
180KM 366,13
200KM 359,87
220KM 395,85
240KM 431,84
260KM 467,83
280KM 503,81
300KM 539,80
320KM 575,79
340KM 611,77
360KM 647,76
380KM 683,75

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinaJedinična cijenaPo kolut
100 - 180KM 2,034KM 40,68
200 - 480KM 1,799KM 35,99
500+KM 1,741KM 34,81

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

34 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

41.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.55mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više