N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.65mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Length
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 7.381
RSD 147,617 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 8.857
RSD 177,14 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
RSD 7.381
RSD 147,617 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 8.857
RSD 177,14 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RSD 147,617 | RSD 7.381 |
| 100 - 200 | RSD 128,022 | RSD 6.401 |
| 250+ | RSD 117,571 | RSD 5.879 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.65mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Length
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda