N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3

RS kataloški broj:: 787-9181brend: VishayProizvođački broj:: SIHP8N50D-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.7 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Series

D Series

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

850 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

156 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.51mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

4.65mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.01mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.208

RSD 241,675 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.450

RSD 290,01 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.208
10RSD 2.417
15RSD 3.625
20RSD 4.833
25RSD 6.042
30RSD 7.250
35RSD 8.459
40RSD 9.667
45RSD 10.875
50RSD 11.039
55RSD 12.143
60RSD 13.246
65RSD 14.350
70RSD 15.454
75RSD 16.558

RSD 1.208

RSD 241,675 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 1.450

RSD 290,01 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 1.208
10RSD 2.417
15RSD 3.625
20RSD 4.833
25RSD 6.042
30RSD 7.250
35RSD 8.459
40RSD 9.667
45RSD 10.875
50RSD 11.039
55RSD 12.143
60RSD 13.246
65RSD 14.350
70RSD 15.454
75RSD 16.558

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 45RSD 241,675RSD 1.208
50 - 120RSD 220,773RSD 1.104
125 - 245RSD 205,097RSD 1.025
250 - 495RSD 199,871RSD 999
500+RSD 194,646RSD 973

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.7 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Series

D Series

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

850 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

156 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.51mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

4.65mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.01mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više