N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
102 nC @ 10 V
Width
5.26mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.12mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 287,397
komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 344,876
komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
5
RSD 287,397
komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 344,876
komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
5
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 287,397 | RSD 1.437 |
| 50 - 120 | RSD 246,90 | RSD 1.234 |
| 125 - 245 | RSD 241,675 | RSD 1.208 |
| 250 - 495 | RSD 236,449 | RSD 1.182 |
| 500+ | RSD 228,611 | RSD 1.143 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
102 nC @ 10 V
Width
5.26mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.12mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda