SiC N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0280090J

RS kataloški broj:: 192-3382brend: WolfspeedProizvođački broj:: C3M0280090J
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Package Type

TO-263-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

50 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, 18 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

SiC

Length

10.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.5 nC @ 4/15V

Width

9.12mm

Number of Elements per Chip

1

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 901,381

komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)

RSD 1.081,657

komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)

SiC N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0280090J

RSD 901,381

komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)

RSD 1.081,657

komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)

SiC N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0280090J
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo cev
50 - 50RSD 901,381RSD 45.069
100+RSD 894,849RSD 44.742

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Package Type

TO-263-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

50 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, 18 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

SiC

Length

10.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.5 nC @ 4/15V

Width

9.12mm

Number of Elements per Chip

1

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više