SiC N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0280090J
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 18 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 4/15V
Width
9.12mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
10.23mm
Height
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 986,293
komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.183,552
komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
2
RSD 986,293
komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.183,552
komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
2
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RSD 986,293 | RSD 1.973 |
| 20+ | RSD 966,698 | RSD 1.933 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 18 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 4/15V
Width
9.12mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
10.23mm
Height
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda