N-Channel MOSFET, 100 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP075N15N3GXKSA1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
IPP075N15N3 G
Package Type
TO-220
Series
OptiMOS™
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
4.57mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Height
11.17mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 6,45
Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)
€ 7,546
Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)
50
€ 6,45
Each (In a Tube of 50) (bez PDV-a)
€ 7,546
Each (In a Tube of 50) (s PDV-om)
50
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 6,45 | € 322,50 |
| 100 - 200 | € 6,20 | € 310,00 |
| 250+ | € 5,80 | € 290,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
IPP075N15N3 G
Package Type
TO-220
Series
OptiMOS™
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
4.57mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Height
11.17mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda