P-Channel MOSFET, 6.8 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF9520NSPBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
D2PAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
480 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Width
9.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.83mm
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
Standard
5
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
D2PAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
480 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Width
9.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.83mm
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda