P-Channel MOSFET, 6.2 A, 12 V, 6-Pin TSOP Vishay SI3447CDV-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
TSOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
68 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 8 V
Width
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
Each (Supplied as a Tape) (bez PDV-a)
Standard
20
Cijena na upit
Each (Supplied as a Tape) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
TSOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
68 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 8 V
Width
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda