STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 50 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD40NF10
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 2.275,00
€ 0,91 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)
€ 2.843,75
€ 1,138 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)
2500
€ 2.275,00
€ 0,91 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)
€ 2.843,75
€ 1,138 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda