STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD65N55F3

RS kataloški broj:: 795-9000robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STD65N55F3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

STripFET F3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.2 mm

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalji o proizvodu

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 14,10

€ 2,82 komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)

€ 17,62

€ 3,525 komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)

STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD65N55F3
Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 14,10
10€ 28,20
15€ 42,30
20€ 56,40
25€ 70,50
30€ 84,60
35€ 98,70
40€ 112,80
45€ 126,90
50€ 141,00
55€ 155,10
60€ 169,20
65€ 183,30
70€ 197,40
75€ 211,50

€ 14,10

€ 2,82 komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)

€ 17,62

€ 3,525 komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)

STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD65N55F3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 14,10
10€ 28,20
15€ 42,30
20€ 56,40
25€ 70,50
30€ 84,60
35€ 98,70
40€ 112,80
45€ 126,90
50€ 141,00
55€ 155,10
60€ 169,20
65€ 183,30
70€ 197,40
75€ 211,50

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

STripFET F3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.2 mm

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalji o proizvodu

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više