STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT

RS kataloški broj:: 786-3741Probna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STL60N10F7
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerFLAT

Series

STripFET H7

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.35 mm

Height

0.95mm

Length

5.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalji o proizvodu

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 6,25

€ 1,25 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 7,81

€ 1,562 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
Odaberite vrstu pakiranja

Proizvodno pakiranje (kolut)

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 6,25
10€ 12,50
15€ 18,75
20€ 25,00
25€ 31,25
30€ 37,50
35€ 43,75
40€ 50,00
45€ 56,25
50€ 62,50
55€ 68,75
60€ 75,00
65€ 81,25
70€ 87,50
75€ 93,75

€ 6,25

€ 1,25 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 7,81

€ 1,562 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Proizvodno pakiranje (kolut)

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 6,25
10€ 12,50
15€ 18,75
20€ 25,00
25€ 31,25
30€ 37,50
35€ 43,75
40€ 50,00
45€ 56,25
50€ 62,50
55€ 68,75
60€ 75,00
65€ 81,25
70€ 87,50
75€ 93,75

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerFLAT

Series

STripFET H7

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.35 mm

Height

0.95mm

Length

5.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalji o proizvodu

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više