STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP13NM60N
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
360mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
30nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 183,50
€ 3,67 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 229,38
€ 4,588 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
50
€ 183,50
€ 3,67 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 229,38
€ 4,588 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
360mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
30nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda