STMicroelectronics STripFET V Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2N2VH5

RS kataloški broj:: 791-7876robna marka: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STR2N2VH5
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

STripFET V

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Width

1.75 mm

Height

1.3mm

Automotive Standard

No

Detalji o proizvodu

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 11,30

€ 1,13 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 14,12

€ 1,412 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

STMicroelectronics STripFET V Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2N2VH5
Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10€ 11,30
20€ 22,60
30€ 33,90
40€ 45,20
50€ 56,50
60€ 67,80
70€ 79,10
80€ 90,40
90€ 101,70
100€ 113,00
110€ 124,30
120€ 135,60
130€ 146,90
140€ 158,20
150€ 169,50

€ 11,30

€ 1,13 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 14,12

€ 1,412 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

STMicroelectronics STripFET V Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2N2VH5

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10€ 11,30
20€ 22,60
30€ 33,90
40€ 45,20
50€ 56,50
60€ 67,80
70€ 79,10
80€ 90,40
90€ 101,70
100€ 113,00
110€ 124,30
120€ 135,60
130€ 146,90
140€ 158,20
150€ 169,50

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

STripFET V

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Width

1.75 mm

Height

1.3mm

Automotive Standard

No

Detalji o proizvodu

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više