Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 79,00
€ 3,95 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 92,43
€ 4,622 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
20
€ 79,00
€ 3,95 komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 92,43
€ 4,622 komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
20
| količina | Jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,95 | € 7,90 |
| 100 - 198 | € 3,65 | € 7,30 |
| 200+ | € 3,25 | € 6,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
