Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipMemory Size
256kB
Product Type
Parallel EEPROM
Interface Type
Parallel
Package Type
SOIC
Mount Type
Surface
Pin Count
28
Maximum Clock Frequency
5MHz
Organisation
32K x 8 Bit
Minimum Supply Voltage
4.5V
Number of Bits per Word
8
Maximum Supply Voltage
5.5V
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
85°C
Length
18.1mm
Width
7.6mm
Series
AT28C256
Standards/Approvals
No
Data Retention
10year
Supply Current
50mA
Maximum Random Access Time
150ns
Automotive Standard
No
Number of Words
32768
Zemlja podrijetla
Taiwan, Province Of China
Detalji o proizvodu
Model Microchip AT28C256 je vysoce výkonná 256kb paralelní paměť EEPROM dostupná v průmyslovém i vojenském teplotním rozsahu nabízející doby přístupu do 150 ns se ztrátovým výkonem 440 mW. Pokud není vybrán, je pohotovostní proud CMOS méně než 200 μA.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 45.538
RSD 1.686,588 komad (u Tubi od 27) (bez PDV-a)
RSD 54.645
RSD 2.023,906 komad (u Tubi od 27) (s PDV-om)
27
RSD 45.538
RSD 1.686,588 komad (u Tubi od 27) (bez PDV-a)
RSD 54.645
RSD 2.023,906 komad (u Tubi od 27) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
27
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 27 - 81 | RSD 1.686,588 | RSD 45.538 |
| 108+ | RSD 1.663,55 | RSD 44.916 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipMemory Size
256kB
Product Type
Parallel EEPROM
Interface Type
Parallel
Package Type
SOIC
Mount Type
Surface
Pin Count
28
Maximum Clock Frequency
5MHz
Organisation
32K x 8 Bit
Minimum Supply Voltage
4.5V
Number of Bits per Word
8
Maximum Supply Voltage
5.5V
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
85°C
Length
18.1mm
Width
7.6mm
Series
AT28C256
Standards/Approvals
No
Data Retention
10year
Supply Current
50mA
Maximum Random Access Time
150ns
Automotive Standard
No
Number of Words
32768
Zemlja podrijetla
Taiwan, Province Of China
Detalji o proizvodu
Model Microchip AT28C256 je vysoce výkonná 256kb paralelní paměť EEPROM dostupná v průmyslovém i vojenském teplotním rozsahu nabízející doby přístupu do 150 ns se ztrátovým výkonem 440 mW. Pokud není vybrán, je pohotovostní proud CMOS méně než 200 μA.
