Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
295A
Maximum Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Series
mSiC
Mount Type
Heatsink
Channel Mode
Enhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd
1918W
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Half Bridge
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Napájecí modul Microchip z karbidu křemíku vyniká ve vysoce výkonných aplikacích a zajišťuje výjimečnou manipulaci s napětím a nepřetržité kapacitní proudy pro náročná prostředí.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 143.912
RSD 143.912 Each (bez PDV-a)
RSD 172.694
RSD 172.694 Each (s PDV-om)
1
RSD 143.912
RSD 143.912 Each (bez PDV-a)
RSD 172.694
RSD 172.694 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
295A
Maximum Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Series
mSiC
Mount Type
Heatsink
Channel Mode
Enhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd
1918W
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Half Bridge
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Napájecí modul Microchip z karbidu křemíku vyniká ve vysoce výkonných aplikacích a zajišťuje výjimečnou manipulaci s napětím a nepřetržité kapacitní proudy pro náročná prostředí.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
