Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
151A
Maximum Drain Source Voltage Vds
3300V
Series
mSiC
Mount Type
Heatsink
Channel Mode
Enhancement Mode
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Power Dissipation Pd
1013W
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Half Bridge
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Pokročilý napájecí modul Microchip SiC nabízí fázovou konstrukci s působivými jmenovitými hodnotami, která je určena především pro vysoce účinné aplikace v oblasti výkonové elektroniky, což zajišťuje spolehlivost a vynikající výkon v náročných podmínkách.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 103.700
RSD 103.700 Each (bez PDV-a)
RSD 124.440
RSD 124.440 Each (s PDV-om)
1
RSD 103.700
RSD 103.700 Each (bez PDV-a)
RSD 124.440
RSD 124.440 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
151A
Maximum Drain Source Voltage Vds
3300V
Series
mSiC
Mount Type
Heatsink
Channel Mode
Enhancement Mode
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Power Dissipation Pd
1013W
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Half Bridge
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Pokročilý napájecí modul Microchip SiC nabízí fázovou konstrukci s působivými jmenovitými hodnotami, která je určena především pro vysoce účinné aplikace v oblasti výkonové elektroniky, což zajišťuje spolehlivost a vynikající výkon v náročných podmínkách.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
