Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
295A
Maximum Drain Source Voltage Vds
3300V
Series
mSiC
Mount Type
Heatsink
Channel Mode
Enhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd
1918W
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Half Bridge
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Napájecí modul Microchip z karbidu křemíku kombinuje funkci dvojitého společného zdroje s vysokým napětím a je navržen pro efektivní provoz a vynikající výkon v náročných aplikacích.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 144.974
RSD 144.974 Each (bez PDV-a)
RSD 173.969
RSD 173.969 Each (s PDV-om)
1
RSD 144.974
RSD 144.974 Each (bez PDV-a)
RSD 173.969
RSD 173.969 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
295A
Maximum Drain Source Voltage Vds
3300V
Series
mSiC
Mount Type
Heatsink
Channel Mode
Enhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd
1918W
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Half Bridge
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Napájecí modul Microchip z karbidu křemíku kombinuje funkci dvojitého společného zdroje s vysokým napětím a je navržen pro efektivní provoz a vynikající výkon v náročných aplikacích.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
