Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipProduct Type
MOSFET Arrays
Channel Type
P-Channel, N channel
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Package Type
VDFN
Series
TC6320
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.8V
Transistor Configuration
Complementary Pair
Length
0.4mm
Height
1.35mm
Standards/Approvals
RoHS Certificate of Compliance
Width
0.31mm
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Thailand
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťové N-kanálové a P-kanálové MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou v 8vodičových pouzdrech VDFN a SOIC jsou vybaveny integrovanými rezistory hradla-zdroj a zenerovými diodovými svorkami hradla-zdroj, díky čemuž jsou ideální pro vysokonapěťové pulzní aplikace. Tento doplňkový, vysokorychlostní, vysokonapěťový pár MOSFET s N-kanálem a P-kanálem s hradlem používá pokročilou svislou strukturu DMOS a osvědčený proces výroby křemíkových hradel. Tato kombinace nabízí možnosti manipulace s napájením bipolárních tranzistorů spolu s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem typickým pro zařízení MOS. Stejně jako u všech konstrukcí MOS jsou tato zařízení bez tepelného úniku a tepelně indukovaného sekundárního porušení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 760.238
RSD 230,375 komad (u Reel od 3300) (bez PDV-a)
RSD 912.285
RSD 276,45 komad (u Reel od 3300) (s PDV-om)
3300
RSD 760.238
RSD 230,375 komad (u Reel od 3300) (bez PDV-a)
RSD 912.285
RSD 276,45 komad (u Reel od 3300) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3300
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
MicrochipProduct Type
MOSFET Arrays
Channel Type
P-Channel, N channel
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Package Type
VDFN
Series
TC6320
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.8V
Transistor Configuration
Complementary Pair
Length
0.4mm
Height
1.35mm
Standards/Approvals
RoHS Certificate of Compliance
Width
0.31mm
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Thailand
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťové N-kanálové a P-kanálové MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou v 8vodičových pouzdrech VDFN a SOIC jsou vybaveny integrovanými rezistory hradla-zdroj a zenerovými diodovými svorkami hradla-zdroj, díky čemuž jsou ideální pro vysokonapěťové pulzní aplikace. Tento doplňkový, vysokorychlostní, vysokonapěťový pár MOSFET s N-kanálem a P-kanálem s hradlem používá pokročilou svislou strukturu DMOS a osvědčený proces výroby křemíkových hradel. Tato kombinace nabízí možnosti manipulace s napájením bipolárních tranzistorů spolu s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem typickým pro zařízení MOS. Stejně jako u všech konstrukcí MOS jsou tato zařízení bez tepelného úniku a tepelně indukovaného sekundárního porušení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
