onsemi Digital Transistor Surface SOIC, 8-Pin

Tyto dvojité N- a P-kanálové tranzistory s vylepšeným režimem výkonového pole jsou vyráběny pomocí pokročilého procesu PowerTrench, který byl speciálně přizpůsoben tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu a přesto zachoval vynikající spínací výkon. Tato zařízení jsou vhodná pro aplikace s nízkým napětím a napájením z baterií, kde jsou vyžadovány nízké interní ztráty výkonu a rychlé spínání.

• Q1: N-Channel
• 7,0 A, 30 V
• RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 10 V.
• RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = 4,5 V.
• Q2: P-Channel
• -5 A,-30 V
• RDS(ON) = 52 mΩ @ VGS = -10 V.
• RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -4,5 V.
• Vysoká rychlost spínání
• Vysoký výkon a možnosti manipulace v běžně používaném pouzdru pro povrchovou montáž
• Aplikace
• Tento produkt slouží pro obecné použití a je vhodný pro mnoho různých aplikací.