Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Transistor
Maximum DC Collector Current Idc
6A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
65V
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage VCBO
150V
Maximum Power Dissipation Pd
15W
Transistor Polarity
NPN
Minimum DC Current Gain hFE
30
Maximum Emitter Base Voltage VEBO
7V
Minimum Operating Temperature
0°C
Pin Count
3
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Width
10.1mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Široká škála bipolárních tranzistorů NPN a PNP od společnosti STMicroelectronics včetně univerzálních, Darlingtonových, napájecích a vysokonapěťových zařízení v pouzdrech SMT a průchozího otvoru.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 934
RSD 93,362 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 1.120
RSD 112,034 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
10
RSD 934
RSD 93,362 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 1.120
RSD 112,034 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
10
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Transistor
Maximum DC Collector Current Idc
6A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
65V
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage VCBO
150V
Maximum Power Dissipation Pd
15W
Transistor Polarity
NPN
Minimum DC Current Gain hFE
30
Maximum Emitter Base Voltage VEBO
7V
Minimum Operating Temperature
0°C
Pin Count
3
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Width
10.1mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Široká škála bipolárních tranzistorů NPN a PNP od společnosti STMicroelectronics včetně univerzálních, Darlingtonových, napájecích a vysokonapěťových zařízení v pouzdrech SMT a průchozího otvoru.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
