Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Transistor
Maximum DC Collector Current Idc
3A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
60V
Package Type
SOT-223
Mount Type
Surface
Transistor Configuration
NPN
Maximum Collector Base Voltage VCBO
80V
Maximum Power Dissipation Pd
1.6W
Transistor Polarity
NPN
Minimum DC Current Gain hFE
80
Maximum Emitter Base Voltage VEBO
6V
Minimum Operating Temperature
-60°C
Pin Count
4
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
2.29mm
Height
4.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
1.4mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Tranzistor STMicroelectronics NPN je vyroben pomocí nové nízkonapěťové planární technologie s dvojitým kovovým procesem. Výsledkem je tranzistor, který se může pochlubit mimořádně vysokým ziskovým výkonem v kombinaci s velmi nízkým nasycovacím napětím.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 25.462
RSD 25,462 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 30.555
RSD 30,554 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
RSD 25.462
RSD 25,462 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 30.555
RSD 30,554 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1000
| količina | Jedinična cena | Po kolut |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | RSD 25,462 | RSD 25.462 |
| 2000 - 4000 | RSD 21,825 | RSD 21.825 |
| 5000+ | RSD 20,612 | RSD 20.612 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Transistor
Maximum DC Collector Current Idc
3A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
60V
Package Type
SOT-223
Mount Type
Surface
Transistor Configuration
NPN
Maximum Collector Base Voltage VCBO
80V
Maximum Power Dissipation Pd
1.6W
Transistor Polarity
NPN
Minimum DC Current Gain hFE
80
Maximum Emitter Base Voltage VEBO
6V
Minimum Operating Temperature
-60°C
Pin Count
4
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
2.29mm
Height
4.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
1.4mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Tranzistor STMicroelectronics NPN je vyroben pomocí nové nízkonapěťové planární technologie s dvojitým kovovým procesem. Výsledkem je tranzistor, který se může pochlubit mimořádně vysokým ziskovým výkonem v kombinaci s velmi nízkým nasycovacím napětím.