Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Bipolar Transistor
Maximum DC Collector Current Idc
10A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
50V
Package Type
SOT-223
Mount Type
Surface
Transistor Configuration
Single
Transistor Polarity
NPN
Minimum DC Current Gain hFE
100
Maximum Emitter Base Voltage VEBO
5V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Maximum Transition Frequency ft
1MHz
Maximum Power Dissipation Pd
1.4W
Pin Count
4
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.7mm
Height
1.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
2STF1550 a 2STN1550 jsou tranzistory NPN vyrobené pomocí nové technologie "PB-HCD" (Power bipolární vysoká hustota proudu). Výsledný tranzistor zobrazuje výjimečný výkon s vysokým ziskem spolu s velmi nízkým saturačním napětím.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.940
RSD 77,60 komadno (u pakovanju od 25) (bez PDV-a)
RSD 2.328
RSD 93,12 komadno (u pakovanju od 25) (s PDV-om)
Standard
25
RSD 1.940
RSD 77,60 komadno (u pakovanju od 25) (bez PDV-a)
RSD 2.328
RSD 93,12 komadno (u pakovanju od 25) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
25
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 25 - 225 | RSD 77,60 | RSD 1.940 |
| 250 - 600 | RSD 70,325 | RSD 1.758 |
| 625+ | RSD 60,625 | RSD 1.516 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Bipolar Transistor
Maximum DC Collector Current Idc
10A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
50V
Package Type
SOT-223
Mount Type
Surface
Transistor Configuration
Single
Transistor Polarity
NPN
Minimum DC Current Gain hFE
100
Maximum Emitter Base Voltage VEBO
5V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Maximum Transition Frequency ft
1MHz
Maximum Power Dissipation Pd
1.4W
Pin Count
4
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.7mm
Height
1.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
2STF1550 a 2STN1550 jsou tranzistory NPN vyrobené pomocí nové technologie "PB-HCD" (Power bipolární vysoká hustota proudu). Výsledný tranzistor zobrazuje výjimečný výkon s vysokým ziskem spolu s velmi nízkým saturačním napětím.