Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Maximum Continuous Drain Current Id
75A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
ACEPACK 2
Series
A2F
Mount Type
Chassis
Maximum Drain Source Resistance Rds
17mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-40°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
UL
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics je navržen jako napájecí modul ve čtyřech topologii balení integruje Advanced karbid křemíku technologii výkonových MOSFET. Modul využívá inovativní vlastnosti materiálu SIC se širokým pásmem a substrát s vysokým tepelným výkonem.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 42.976
RSD 42.976 Each (bez PDV-a)
RSD 51.571
RSD 51.571 Each (s PDV-om)
Standard
1
RSD 42.976
RSD 42.976 Each (bez PDV-a)
RSD 51.571
RSD 51.571 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Maximum Continuous Drain Current Id
75A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
ACEPACK 2
Series
A2F
Mount Type
Chassis
Maximum Drain Source Resistance Rds
17mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-40°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
UL
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics je navržen jako napájecí modul ve čtyřech topologii balení integruje Advanced karbid křemíku technologii výkonových MOSFET. Modul využívá inovativní vlastnosti materiálu SIC se širokým pásmem a substrát s vysokým tepelným výkonem.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
