Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
75A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
ACEPACK 2
Series
A2U
Mount Type
Chassis
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
17mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
298nC
Minimum Operating Temperature
-40°C
Forward Voltage Vf
2.9V
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
3 Phase
Standards/Approvals
UL
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Výkonový modul STMicroelectronics představuje nohu z topologie měniče typu T 3, která integruje technologii Advanced Silicon Carbide Power MOSFET. Tento modul využívá inovativní vlastnosti materiálu SIC se širokým pásmem a substrát s vysokým tepelným výkonem. Výsledkem je výjimečně nízká odolnost na jednotku plochy a vynikající spínací výkon, který je prakticky nezávislý na teplotě.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 43.165
RSD 43.165 komad (isporučivo u traci) (bez PDV-a)
RSD 51.798
RSD 51.798 komad (isporučivo u traci) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (pakovanje)
1
RSD 43.165
RSD 43.165 komad (isporučivo u traci) (bez PDV-a)
RSD 51.798
RSD 51.798 komad (isporučivo u traci) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (pakovanje)
1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
75A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
ACEPACK 2
Series
A2U
Mount Type
Chassis
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
17mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
298nC
Minimum Operating Temperature
-40°C
Forward Voltage Vf
2.9V
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
3 Phase
Standards/Approvals
UL
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Výkonový modul STMicroelectronics představuje nohu z topologie měniče typu T 3, která integruje technologii Advanced Silicon Carbide Power MOSFET. Tento modul využívá inovativní vlastnosti materiálu SIC se širokým pásmem a substrát s vysokým tepelným výkonem. Výsledkem je výjimečně nízká odolnost na jednotku plochy a vynikající spínací výkon, který je prakticky nezávislý na teplotě.