Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
Type N, Type P
Maximum Drain Source Voltage Vds
58V
Package Type
TQFP-64
Series
L98GD
Mount Type
Surface
Pin Count
64
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
AEC-Q100
Width
1mm
Automotive Standard
AEC-Q100
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
8kanálový MOSFET společnosti STMicroelectronics je předběžný ovladač konfigurovatelný pro řízení zátěže low-side, high-side, peak and hold a H-bridge. Je navržen tak, aby vyhovoval požadavkům automobilových osobních vozidel, stejně jako automobilových užitkových vozidel. Zařízení nabízí možnost ovládání dvou nezávislých H-Bridges. Výstupy ovladače jsou chráněny proti zkratu a chrání také externí MOS v případě přepětí.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 984.550
RSD 984,55 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 1.181.460
RSD 1.181,46 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
RSD 984.550
RSD 984,55 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 1.181.460
RSD 1.181,46 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1000
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
Type N, Type P
Maximum Drain Source Voltage Vds
58V
Package Type
TQFP-64
Series
L98GD
Mount Type
Surface
Pin Count
64
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
AEC-Q100
Width
1mm
Automotive Standard
AEC-Q100
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
8kanálový MOSFET společnosti STMicroelectronics je předběžný ovladač konfigurovatelný pro řízení zátěže low-side, high-side, peak and hold a H-bridge. Je navržen tak, aby vyhovoval požadavkům automobilových osobních vozidel, stejně jako automobilových užitkových vozidel. Zařízení nabízí možnost ovládání dvou nezávislých H-Bridges. Výstupy ovladače jsou chráněny proti zkratu a chrání také externí MOS v případě přepětí.