Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Operational Amplifier
Mount Type
Surface
Package Type
SOIC
Number of Channels
1
Pin Count
8
GBP - Gain Bandwidth Product
4MHz
Minimum Supply Voltage
6V
Maximum Supply Voltage
32V
Input Bias Current
20 nA
Minimum Operating Temperature
0°C
Vos - Input Offset Voltage
13 mV
Slew Rate
16V/μs
Maximum Operating Temperature
70°C
Height
1.25mm
Length
4.9mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
LF351
Output Current
60mA
Automotive Standard
No
Input Offset Current
4 nA
Detalji o proizvodu
LF347, LF351 a LF353 jsou vysokorychlostní provozní zesilovače JFET, které obsahují shodné vysokonapěťové JFET a bipolární tranzistory. Jsou vybaveny vysokými dávkami, nízkým vstupním proudovým zkreslením a offsetovým proudem a teplotním součinitelem s nízkým ofsetovým napětím.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 873
RSD 87,30 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 1.048
RSD 104,76 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Standard
10
RSD 873
RSD 87,30 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 1.048
RSD 104,76 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
10
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RSD 87,30 | RSD 873 |
| 50 - 90 | RSD 83,662 | RSD 837 |
| 100 - 240 | RSD 78,812 | RSD 788 |
| 250 - 490 | RSD 73,962 | RSD 740 |
| 500+ | RSD 72,75 | RSD 728 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Operational Amplifier
Mount Type
Surface
Package Type
SOIC
Number of Channels
1
Pin Count
8
GBP - Gain Bandwidth Product
4MHz
Minimum Supply Voltage
6V
Maximum Supply Voltage
32V
Input Bias Current
20 nA
Minimum Operating Temperature
0°C
Vos - Input Offset Voltage
13 mV
Slew Rate
16V/μs
Maximum Operating Temperature
70°C
Height
1.25mm
Length
4.9mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
LF351
Output Current
60mA
Automotive Standard
No
Input Offset Current
4 nA
Detalji o proizvodu
LF347, LF351 a LF353 jsou vysokorychlostní provozní zesilovače JFET, které obsahují shodné vysokonapěťové JFET a bipolární tranzistory. Jsou vybaveny vysokými dávkami, nízkým vstupním proudovým zkreslením a offsetovým proudem a teplotním součinitelem s nízkým ofsetovým napětím.