Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N, Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
9.7A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
QFN-9
Series
MASTERG
Mount Type
Surface
Pin Count
31
Maximum Drain Source Resistance Rds
220mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
2nC
Maximum Power Dissipation Pd
40mW
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
125°C
Length
9mm
Height
1mm
Standards/Approvals
RoHS, ECOPACK
Width
9mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Thailand
Detalji o proizvodu
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 150 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 947
RSD 947 Each (bez PDV-a)
RSD 1.136
RSD 1.136 Each (s PDV-om)
Standard
1
RSD 947
RSD 947 Each (bez PDV-a)
RSD 1.136
RSD 1.136 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
| količina | Jedinična cena |
|---|---|
| 1 - 9 | RSD 947 |
| 10 - 24 | RSD 742 |
| 25 - 99 | RSD 715 |
| 100+ | RSD 690 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N, Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
9.7A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
QFN-9
Series
MASTERG
Mount Type
Surface
Pin Count
31
Maximum Drain Source Resistance Rds
220mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
2nC
Maximum Power Dissipation Pd
40mW
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
125°C
Length
9mm
Height
1mm
Standards/Approvals
RoHS, ECOPACK
Width
9mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Thailand
Detalji o proizvodu
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 150 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.