Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P, Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
6.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
QFN-9
Series
MASTERG
Mount Type
Surface
Pin Count
31
Maximum Drain Source Resistance Rds
300mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
1.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
40mW
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
125°C
Length
9mm
Height
1mm
Standards/Approvals
RoHS, ECOPACK
Width
9mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Thailand
Detalji o proizvodu
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 225 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 2.717.212
RSD 905,738 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)
RSD 3.260.655
RSD 1.086,886 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)
3000
RSD 2.717.212
RSD 905,738 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)
RSD 3.260.655
RSD 1.086,886 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P, Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
6.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
QFN-9
Series
MASTERG
Mount Type
Surface
Pin Count
31
Maximum Drain Source Resistance Rds
300mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
1.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
40mW
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
125°C
Length
9mm
Height
1mm
Standards/Approvals
RoHS, ECOPACK
Width
9mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Thailand
Detalji o proizvodu
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 225 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.