Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type P, Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
6.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Series
MASTERG
Package Type
QFN-9
Mount Type
Surface
Pin Count
31
Maximum Drain Source Resistance Rds
300mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
1.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
40mW
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
125°C
Standards/Approvals
RoHS, ECOPACK
Width
9mm
Length
9mm
Height
1mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Thailand
Detalji o proizvodu
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 225 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 906
RSD 906 Each (bez PDV-a)
RSD 1.087
RSD 1.087 Each (s PDV-om)
Standard
1
RSD 906
RSD 906 Each (bez PDV-a)
RSD 1.087
RSD 1.087 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type P, Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
6.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Series
MASTERG
Package Type
QFN-9
Mount Type
Surface
Pin Count
31
Maximum Drain Source Resistance Rds
300mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
1.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
40mW
Minimum Operating Temperature
-40°C
Maximum Operating Temperature
125°C
Standards/Approvals
RoHS, ECOPACK
Width
9mm
Length
9mm
Height
1mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Thailand
Detalji o proizvodu
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 225 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
