Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
7A
Maximum Drain Source Voltage Vds
65V
Package Type
PowerSO-10RF
Series
PD5
Mount Type
Surface
Pin Count
10
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.76Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
79W
Minimum Operating Temperature
65°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Operating Temperature
165°C
Length
14.35mm
Height
3.6mm
Standards/Approvals
ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS
Width
9.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
VF výkonový tranzistor STMicroelectronics je N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET se společným zdrojem a zesíleným bočním polem. Je určen pro širokopásmové komerční a průmyslové aplikace s vysokým ziskem. Pracuje s napětím 28 V v režimu společného zdroje při frekvencích do 1 GHz. Zařízení se může pochlubit vynikajícím ziskem, linearitou a spolehlivostí nejnovější technologie LDMOS společnosti ST, která je umístěna v prvním skutečném plastovém pouzdře SMD pro vf napájení, PowerSO-10RF. Vynikající linearita zařízení z něj činí ideální řešení pro aplikace v základnových stanicích. Plastové pouzdro PowerSO-10, navržené pro vysokou spolehlivost, je prvním vysoce výkonným SMD pouzdrem schváleným ST JEDEC. Byl speciálně optimalizován pro potřeby RF a nabízí vynikající RF výkony a snadnou montáž. Doporučení pro montáž jsou k dispozici na adrese www.st.com/rf/ (vyhledejte aplikační poznámku AN1294).
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 8.888
RSD 8.888 Each (bez PDV-a)
RSD 10.665
RSD 10.665 Each (s PDV-om)
1
RSD 8.888
RSD 8.888 Each (bez PDV-a)
RSD 10.665
RSD 10.665 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
| količina | Jedinična cena |
|---|---|
| 1 - 9 | RSD 8.888 |
| 10+ | RSD 8.113 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
7A
Maximum Drain Source Voltage Vds
65V
Package Type
PowerSO-10RF
Series
PD5
Mount Type
Surface
Pin Count
10
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.76Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
79W
Minimum Operating Temperature
65°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Operating Temperature
165°C
Length
14.35mm
Height
3.6mm
Standards/Approvals
ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS
Width
9.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
VF výkonový tranzistor STMicroelectronics je N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET se společným zdrojem a zesíleným bočním polem. Je určen pro širokopásmové komerční a průmyslové aplikace s vysokým ziskem. Pracuje s napětím 28 V v režimu společného zdroje při frekvencích do 1 GHz. Zařízení se může pochlubit vynikajícím ziskem, linearitou a spolehlivostí nejnovější technologie LDMOS společnosti ST, která je umístěna v prvním skutečném plastovém pouzdře SMD pro vf napájení, PowerSO-10RF. Vynikající linearita zařízení z něj činí ideální řešení pro aplikace v základnových stanicích. Plastové pouzdro PowerSO-10, navržené pro vysokou spolehlivost, je prvním vysoce výkonným SMD pouzdrem schváleným ST JEDEC. Byl speciálně optimalizován pro potřeby RF a nabízí vynikající RF výkony a snadnou montáž. Doporučení pro montáž jsou k dispozici na adrese www.st.com/rf/ (vyhledejte aplikační poznámku AN1294).
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
