Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Drain Source Voltage Vds
65V
Package Type
B4E
Series
RF2L
Mount Type
Surface
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Operating Temperature
200°C
Transistor Configuration
Single
Length
27.94mm
Height
9.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Typical Power Gain
14dB
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics RF2L16180CB4 je 180 W, 28 v interně spárován LDMOS tranzistor určený pro multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE základnové stanice a ISM aplikace s frekvencí od 1300 do 1600 MHz. Čtyři svody lze konfigurovat jako jednozakončené, 180 stupňů push-pull nebo 90 stupňů hybrid nebo Doherty se správnou externí odpovídající sítí.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Cena na upit
komad (u Reel od 120) (bez PDV-a)
120
Cena na upit
komad (u Reel od 120) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
120
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Drain Source Voltage Vds
65V
Package Type
B4E
Series
RF2L
Mount Type
Surface
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Operating Temperature
200°C
Transistor Configuration
Single
Length
27.94mm
Height
9.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Typical Power Gain
14dB
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics RF2L16180CB4 je 180 W, 28 v interně spárován LDMOS tranzistor určený pro multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE základnové stanice a ISM aplikace s frekvencí od 1300 do 1600 MHz. Čtyři svody lze konfigurovat jako jednozakončené, 180 stupňů push-pull nebo 90 stupňů hybrid nebo Doherty se správnou externí odpovídající sítí.