Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-2
Series
SiC MOSFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
203mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
10.4mm
Length
15.8mm
Standards/Approvals
No
Width
4.7mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET využívá Advanced, inovativní vlastnosti materiálů s širokým pásmem. Materiál SIC má vynikající tepelné vlastnosti.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.953
RSD 1.953 Each (bez PDV-a)
RSD 2.344
RSD 2.344 Each (s PDV-om)
Standard
1
RSD 1.953
RSD 1.953 Each (bez PDV-a)
RSD 2.344
RSD 2.344 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-2
Series
SiC MOSFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
203mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
10.4mm
Length
15.8mm
Standards/Approvals
No
Width
4.7mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET využívá Advanced, inovativní vlastnosti materiálů s širokým pásmem. Materiál SIC má vynikající tepelné vlastnosti.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
