Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
Hip-247
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
100mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
3.5V
Maximum Power Dissipation Pd
270W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
105nC
Maximum Operating Temperature
200°C
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Width
5.15mm
Height
20.15mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET s karbidem křemíku (SiC) jsou vybaveny velmi nízkým odporem zdroje statického výboje pro výkon 1 200 V v kombinaci s vynikajícím výkonem přepínání, který se promítá do účinnějších a kompaktnějších systémů.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 3.274
RSD 3.274 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 3.928
RSD 3.928 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
1
RSD 3.274
RSD 3.274 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 3.928
RSD 3.928 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
Hip-247
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
100mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
3.5V
Maximum Power Dissipation Pd
270W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
105nC
Maximum Operating Temperature
200°C
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Width
5.15mm
Height
20.15mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET s karbidem křemíku (SiC) jsou vybaveny velmi nízkým odporem zdroje statického výboje pro výkon 1 200 V v kombinaci s vynikajícím výkonem přepínání, který se promítá do účinnějších a kompaktnějších systémů.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
