Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.105Ω
Channel Mode
Depletion
Detalji o proizvodu
Výkonový karbid křemíku MOSFET společnosti STMicroelectronics automobilové kvality byl vyvinut pomocí pokročilé a inovativní technologie SiC MOSFET 2. generace společnosti ST. Zařízení nabízí pozoruhodně nízký odpor při zapnutí na jednotku plochy a velmi dobrý spínací výkon.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Cena na upit
Standard
1
Cena na upit
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.105Ω
Channel Mode
Depletion
Detalji o proizvodu
Výkonový karbid křemíku MOSFET společnosti STMicroelectronics automobilové kvality byl vyvinut pomocí pokročilé a inovativní technologie SiC MOSFET 2. generace společnosti ST. Zařízení nabízí pozoruhodně nízký odpor při zapnutí na jednotku plochy a velmi dobrý spínací výkon.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
