Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.065Ω
Channel Mode
Enhancement
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonový MOSFET STMicroelectronics z karbidu křemíku je vyráběn s využitím pokročilých, inovativních vlastností materiálů s širokou mezí pásma. Výsledkem je nepřekonatelný odpor při zapnutí na jednotku plochy a velmi dobrý spínací výkon téměř nezávislý na teplotě.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Cena na upit
Standard
1
Cena na upit
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.065Ω
Channel Mode
Enhancement
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonový MOSFET STMicroelectronics z karbidu křemíku je vyráběn s využitím pokročilých, inovativních vlastností materiálů s širokou mezí pásma. Výsledkem je nepřekonatelný odpor při zapnutí na jednotku plochy a velmi dobrý spínací výkon téměř nezávislý na teplotě.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
