Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
Hip-247
Series
SCT
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
73mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
389W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
94nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
18V
Forward Voltage Vf
3V
Maximum Operating Temperature
200°C
Height
5mm
Length
34.8mm
Standards/Approvals
UL
Width
15.6mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Zařízení STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí technologie ST Advanced a inovativní technologie SIC MOSFET 2. Generace. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje. Lze jej použít v režimu spínání napájení, DC-DC měniče a řízení průmyslových motorů.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 4.426
RSD 4.426 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 5.311
RSD 5.311 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
1
RSD 4.426
RSD 4.426 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 5.311
RSD 5.311 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
Hip-247
Series
SCT
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
73mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
389W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
94nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
18V
Forward Voltage Vf
3V
Maximum Operating Temperature
200°C
Height
5mm
Length
34.8mm
Standards/Approvals
UL
Width
15.6mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Zařízení STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí technologie ST Advanced a inovativní technologie SIC MOSFET 2. Generace. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje. Lze jej použít v režimu spínání napájení, DC-DC měniče a řízení průmyslových motorů.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
