Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
100A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Series
STripFET F7
Package Type
TO-263
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
9.35mm
Height
4.6mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.322
RSD 264,325 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 1.586
RSD 317,19 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
RSD 1.322
RSD 264,325 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 1.586
RSD 317,19 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 264,325 | RSD 1.322 |
| 50 - 245 | RSD 218,25 | RSD 1.091 |
| 250 - 495 | RSD 172,175 | RSD 861 |
| 500+ | RSD 160,05 | RSD 800 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
100A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Series
STripFET F7
Package Type
TO-263
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
9.35mm
Height
4.6mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.