Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MDmesh Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Package Type
TO-263
Series
STB11NM80
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.4Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
43.6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30V
Forward Voltage Vf
0.86V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.37mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
9.35mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tyto N-kanálové výkonové tranzistory MOSFET jsou vyvinuty pomocí revoluční technologie MDmesh™ společnosti STMicroelectronics, která spojuje proces vícenásobného vypouštění s horizontálním rozvržením PowerMESH™ společnosti. Tato zařízení nabízejí extrémně nízkou odolnost, vysoký dv/dt a vynikající lavinové charakteristiky. Tyto výkonové tranzistory MOSFET s využitím patentované techniky stripu ST se mohou pochlubit celkovým dynamickým výkonem, který je lepší než podobné výrobky na trhu.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 607.462
RSD 607,462 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 728.955
RSD 728,954 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
RSD 607.462
RSD 607,462 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 728.955
RSD 728,954 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MDmesh Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Package Type
TO-263
Series
STB11NM80
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.4Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
43.6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30V
Forward Voltage Vf
0.86V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.37mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
9.35mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tyto N-kanálové výkonové tranzistory MOSFET jsou vyvinuty pomocí revoluční technologie MDmesh™ společnosti STMicroelectronics, která spojuje proces vícenásobného vypouštění s horizontálním rozvržením PowerMESH™ společnosti. Tato zařízení nabízejí extrémně nízkou odolnost, vysoký dv/dt a vynikající lavinové charakteristiky. Tyto výkonové tranzistory MOSFET s využitím patentované techniky stripu ST se mohou pochlubit celkovým dynamickým výkonem, který je lepší než podobné výrobky na trhu.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
