Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Bipolar Transistor
Maximum DC Collector Current Idc
16A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
700V
Package Type
TO-263
Mount Type
Surface
Transistor Configuration
Single
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Transistor Polarity
NPN
Minimum DC Current Gain hFE
25
Maximum Emitter Base Voltage VEBO
9V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Pin Count
3
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
15.85mm
Standards/Approvals
No
Series
STB13007DT4
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Zařízení se vyrábí s využitím technologie víceosého planárního s vysokým napětím pro vysoké přepínací rychlosti a pro střední napěťové schopnosti. Používá celulární mitter strukturu pro zvýšení rychlosti přepínání.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 127.312
RSD 127,312 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 152.775
RSD 152,774 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
RSD 127.312
RSD 127,312 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 152.775
RSD 152,774 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1000
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Bipolar Transistor
Maximum DC Collector Current Idc
16A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
700V
Package Type
TO-263
Mount Type
Surface
Transistor Configuration
Single
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Transistor Polarity
NPN
Minimum DC Current Gain hFE
25
Maximum Emitter Base Voltage VEBO
9V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Pin Count
3
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
15.85mm
Standards/Approvals
No
Series
STB13007DT4
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Zařízení se vyrábí s využitím technologie víceosého planárního s vysokým napětím pro vysoké přepínací rychlosti a pro střední napěťové schopnosti. Používá celulární mitter strukturu pro zvýšení rychlosti přepínání.