Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
380mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
17nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
9.35mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 209.762
RSD 209,762 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 251.715
RSD 251,714 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
RSD 209.762
RSD 209,762 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 251.715
RSD 251,714 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
380mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
17nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
9.35mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
